次世代半導体技術を支える新たなコーティング『MAPプロジェクト』の進展と未来

株式会社クオルテックが立命館大学と共同で展開している『MAP（Mist-Assisted universal Plating）プロジェクト』は、次世代の半導体技術の実現に向けた重要な一歩を進めています。このプロジェクトは、国際的な環境規制や貴金属価格の高騰といった課題への対応を目的として、コストと環境負荷を抑えたユニバーサルめっき技術の開発を行っています。

MAPプロジェクトの意義

本プロジェクトは、安定供給が可能でありながら低コストかつ環境に配慮した技術を確立することを目指しています。特に、これまでのめっき工程では多くの有害な薬液が使用されていたため、その削減が強く求められています。クオルテックは、この課題を解決するために研究開発拠点を設立し、成果を上げています。

ユニバーサルめっき技術の特徴

ユニバーサルめっきは、銅の溶液を蒸発させることで、様々な基材に金属銅をコーティングすることが可能です。透明度が高く平坦性に優れた石英ガラスや半導体用サファイア基板上にも高い密着性での成膜が実現しており、ガラス管の内壁に均等に成膜できる技術も確立しました。このような特性により、導電性を持たせた長尺のガラス管の製造が可能となるのです。

半導体パッケージへの応用とチップレット技術

半導体技術の進化に伴い、特にチップレット技術に対する関心が高まっています。この技術は、複数の小型チップを一つのパッケージに集約し、コストを抑えられる点が特徴です。今回のプロジェクトで開発されるガラスコア基板は、このチップレット技術の実用化に最適化され、半導体技術のさらなる高性能化と歩留まり向上に寄与することが期待されています。