INNOPELシンポジウム2025発表資料のご紹介
2025年度のINNOPELシンポジウムにおいて、革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業の最新情報が発表されることとなりました。本シンポジウムは、文部科学省の主催のもと、三菱総合研究所の協力により行われます。
開催概要
- - 日程: 2026年1月27日(火曜日)13:00~17:05、1月28日(水曜日)10:00~17:00
- - 会場: 浅草橋ヒューリックホール&カンファレンス(会場・オンラインのハイブリッド形式)
革新的パワーエレクトロニクスとは?
革新的パワーエレクトロニクスは、次世代のエネルギー効率の高いシステムの実現に向けた基盤となる技術です。ガリウムナイトライド(GaN)や炭化ケイ素(SiC)などの新素材を活用したデバイスが注目されています。これらの技術は、エネルギーの無駄を削減し、持続可能な社会の実現に寄与するものです。
研究発表の内容
今回のシンポジウムでは、様々な専門家によって下記のテーマが発表されます。
1.
GaN縦型パワーデバイス作製技術 - 大森達夫氏(名古屋大学)がリーダーを務め、この新しいデバイスの製造技術の確立を目指します。
2.
SiC MOS界面の高品質化 - 渡部平司氏(大阪大学)が、システム性能を向上させるための研究について発表します。
3.
ダイヤモンド半導体基盤技術検証 - 竹内大輔氏(産業技術総合研究所)が革新パワーデバイスに向けた新しい基盤技術の検証結果を報告します。
4.
新規貴金属ルツボフリー結晶成長法 - 吉川彰氏(東北大学)が、β-Ga2O3単結晶を育成する方法について話します。
また、受動素子領域やパワエレ回路領域における研究も発表され、さらなる技術革新が期待されています。
受動素子とその未来
受動素子領域では、水野勉氏(信州大学)が高周波・電力変換用のトランスやインダクタの開発について話し、岡本聡氏(物質・材料研究機構)と谷口博基氏(名古屋大学)は新素材の研究結果を発表予定です。これらは次世代の高電力密度パワーエレ機器に向けた重要な技術です。
お問い合わせ
シンポジウムについての詳細や発表資料に関するお問い合わせは、文部科学省 研究開発局環境エネルギー課半導体エレクトロニクス推進室までお願いいたします。
- - 電話: 03-6734-4159
- - ファクス: 03-6734-4162
- - メール: power-electronics@mext.go.jp
まとめ
INNOPELシンポジウム2025の発表資料は、革新的なパワーエレクトロニクス技術への道のりを示す重要な要素です。出展者による最新研究が一堂に会し、持続可能なエネルギー社会の実現に向けた意見交換が期待されます。是非、関心のある方は資料をチェックし、新しい知識を得る機会を逃さないでください。